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33N10	文件：67.44 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching 文件：67.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
33N10	文件：245.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：245.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
33N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet	PINGWEI 平伟	PINGWEI
33N10_19	文件：245.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：245.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RM33N100T2	文件：172.8 Kbytes Page：8 Pages	丝印：33N100；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = 100V,ID =33A Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation RDS(ON) 文件：172.8 Kbytes 页数：8 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
33N10B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet	PINGWEI 平伟	PINGWEI

技术参数

ESD DIODES：
N
VDS(V)：
100
VGS(MAX)：
4
IDS@Ta=25℃：
1
PD@Ta=25℃：
125
RDS(ON)(MAX)@VGS 10V：
0.044
RDS(ON)(MAX)@VGS 4.5V：
0
QG(TYP)@VGS 4.5V：
0
QG(TYP)@VGS10V：
38
Package：
TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多33N10供应商更新时间2026-1-30 11:04:00

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