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30A02CH	文件：583.71 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor –30V, –0.7A, Low VCE(sat) PNP Single CPH3 Features • Large current capacitance • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ.=580mΩ [IC=0.7A, IB=35mA] • Small ON-resistance (Ron) Applications • Low-frequency Amplifier, high-speed switching, smal 文件：583.71 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
30A02CH	文件：52.02 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RCE(sat) typ=580mΩ[IC=0.7A, IB=35mA]. • Small ON-resistance (Ron). Applications • Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small m 文件：52.02 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
30A02CH-TL-E	文件：583.71 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor –30V, –0.7A, Low VCE(sat) PNP Single CPH3 Features • Large current capacitance • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ.=580mΩ [IC=0.7A, IB=35mA] • Small ON-resistance (Ron) Applications • Low-frequency Amplifier, high-speed switching, smal 文件：583.71 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
30A02CH	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，-30V -0.7A，低饱和压，PNP 单 CPH3 30A02CH is Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3 for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Application. • Large current capacitance\n• Small ON-resistance (Ron)\n• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ=580mΩ [IC=0.7A, IB=35mA];	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
30A02CH-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-96；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.22
IC Cont. (A)：
0.7
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
200
hFE Max：
500
PTM Max (W)：
0.7
Package Type：
CPH-3

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更多30A02CH供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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