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30A02CH-TL-E	文件：583.71 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 Features •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ.=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
30A02CH-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-96 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
30A02CH	文件：52.02 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA]. •SmallON-resistance(Ron). Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smallm	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
30A02CH	文件：583.71 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 Features •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ.=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
30A02MH	文件：51.61 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA]. •SmallON-resistance(Ron). Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitching,smallm	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
30A02MH	文件：369.24 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitchingsmallmoto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
30A02MH-TL-E	文件：369.24 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitchingsmallmoto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
30A02MH-TL-H	文件：369.24 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 BipolarTransistor –30V,–0.7A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitchingsmallmoto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
30A02SS	文件：39.29 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=580mΩ[IC=0.7A,IB=35mA]. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts. •SmallON-resistance(Ron). App	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
FR30A02	文件：454.19 Kbytes Page：2 Pages	HighPower-FastRecoveryRectifiers	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
FR30A02	文件：465.96 Kbytes Page：2 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
FR30A02	文件：682.17 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
FR30A02	文件：662.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
FR30A02	文件：768.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
HYD30A02EP	文件：343.41 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司
HYD30A02EP	文件：432.72 Kbytes Page：2 Pages	lowrecoveryloss	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司
HYD30A02T	文件：417.79 Kbytes Page：2 Pages	lowrecoveryloss	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司
HYD30A02T	文件：348.29 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司
QD30A02	文件：124.71 Kbytes Page：1 Pages	1000Base-TthroughholeMagnetics	TNKDongguan Xinkang Electronic Technology Co., Ltd. 讯康电子东莞市讯康电子科技股份有限公司

产品属性

产品编号：
30A02CH-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
520MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-96
供应商器件封装：
3-CPH
描述：
TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	30A02CH-TL-E	onsemi(安森美)	23+	SOT-23	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	30A02CH-TL-E	ON/安森美	21+	NA	60000	绝对原装正品现货,假一罚十	询价
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