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30A02CH中文资料双极晶体管,-30V -0.7A,低饱和压,PNP 单 CPH3数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

30A02CH

参数属性

30A02CH 封装/外壳为SC-96;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH

功能描述

双极晶体管,-30V -0.7A,低饱和压,PNP 单 CPH3
TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH

封装外壳

SC-96

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:31:00

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30A02CH规格书详情

描述 Description

30A02CH is Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3 for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Application.

特性 Features

• Large current capacitance
• Small ON-resistance (Ron)
• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ=580mΩ [IC=0.7A, IB=35mA]

应用 Application

• Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive

简介

30A02CH属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的30A02CH晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :30A02CH

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.22

  • IC Cont. (A)

    :0.7

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :500

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.7

  • Package Type

    :CPH-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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