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2SK387	文件：67.58 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed 文件：67.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3878	文件：210.26 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：210.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K3878；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：235.79 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878_V01	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：235.79 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3878F	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：235.79 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3879	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3879	文件：292.1 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.35 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 5.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 640 V) • Enhancement model: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA) 文件：292.1 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3870	文件：330.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：330.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3870-01	文件：95.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：95.67 Kbytes 页数：4 Pages	FUJI 富士通	FUJI

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (N-ch 700V＜VDSS)
Package name(Toshiba)：
TO-3P(N)
Recommended Product 1：
TK9J90E(Almost same package but similar characteristics)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK387供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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