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2SK3666	文件：728.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel JFET 文件：728.22 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3666	文件：36.16 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：36.16 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3666	文件：150.7 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET 文件：150.7 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SK3666	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP 2SK3666 is N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP for low-frequency, general-purpose amplifier and Impedance conversion application. • Low IGSS 1.0nA MAX\n• High sensitive sensor module by low-leakage JFET\n• Low IDSS 0.6-3.0mA\n• Reduce power consumption by low drain current JFET;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3666_12	文件：399.47 Kbytes Page：6 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：399.47 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3666-2-TB-E	文件：399.47 Kbytes Page：6 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：399.47 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3666-2-TB-E	文件：728.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel JFET 文件：728.22 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3666-3-TB-E	文件：728.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel JFET 文件：728.22 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3666-3-TB-E	文件：399.47 Kbytes Page：6 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：399.47 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
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技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
IDSS Min (µA)：
600
IDSS Max (µA)：
1500
V(BR)GSS Min (V)：
30
Ciss Max (pF)：
4
Crss Max (pF)：
1.1
Package Type：
SC-59-3/CP-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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