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2SK3666-3-TB-E	文件：728.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel JFET 文件：728.22 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3666-3-TB-E	文件：399.47 Kbytes Page：6 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：399.47 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3666-3-TB-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - JFET 描述：JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SK3878	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	TOSHIBA 东芝上传：深圳鹏达晟电子有限公司	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SK3666-3-TB-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
包装：
散装
FET 类型：
N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
4pF @ 10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SMCP
描述：
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

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