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2SK3666数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF

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厂商型号

2SK3666

参数属性

2SK3666 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP

功能描述

N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP
JFET N-CH 30V 0.2W CP

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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2SK3666规格书详情

描述 Description

2SK3666 is N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP for low-frequency, general-purpose amplifier and Impedance conversion application.

特性 Features

• Low IGSS 1.0nA MAX
• High sensitive sensor module by low-leakage JFET
• Low IDSS 0.6-3.0mA
• Reduce power consumption by low drain current JFET

应用 Application

• low-frequency,General-purpose Amplifier and Impedance converter

简介

2SK3666属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的2SK3666晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SK3666

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • IDSS Min (µA)

    :600

  • IDSS Max (µA)

    :1500

  • V(BR)GSS Min (V)

    :30

  • Ciss Max (pF)

    :4

  • Crss Max (pF)

    :1.1

  • Package Type

    :SC-59-3/CP-3

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