| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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RENESASN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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UTC/友顺SOT-23 |
72000 |
22+23+ |
公司原装现货一片起送靠谱 |
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13年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
26+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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8年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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12年
留言
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NECSC-75 |
3500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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7年
留言
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UTC(友顺)SOT-23 |
3000 |
24+/25+ |
UTC原厂一级代理商,价格优势! |
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5年
留言
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NECTO-263 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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10年
留言
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TOSTO-220 |
138 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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17年
留言
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东芝 |
3000 |
24+ |
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TOSHIBA/东芝TO |
8000 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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8年
留言
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TOSHIBATO252 |
2000 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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NECSC75 |
98192 |
25+ |
一站式BOM配单 |
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16年
留言
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TOSTO-220SIS |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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7年
留言
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onsemiSMCP |
11528 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiSMCP |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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13年
留言
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RENESASSOT-323 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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SANYOSOT-23 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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12年
留言
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NECSOT23/SOT323 |
2550 |
08PB09 |
全新原装进口自己库存优势 |
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7年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
65428 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-252 |
2400 |
23+ |
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2SK3669MOS(场效应管)中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK3662(F)制造商:Toshiba 功能描述:Nch 60V 35A 0.0125@10V TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
2SK3663-T1-A制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R Tape & Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,20V,0.5A,0.38ohm,SSP3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R
2SK3664-T1-A制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,20V,0.5A,0.38ohm,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75 T/R
2SK3666-2-TB-E功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3666-3-TB-E功能描述:JFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
2SK3666-4-TB-E功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
2SK3667功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3667(Q)功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3667(Q,M)功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3667(STA4,Q,M)制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR

























