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2SK3618I	文件：399.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 130mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：399.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3618	文件：45.15 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：45.15 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3618D	文件：331.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 130mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：331.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3653C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT523	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SK3878	文件：0 bytes Page：0 Pages		TOS 上传：深圳市赛美科科技有限公司	TOS

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