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2SK3634D	文件：330.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3634	文件：993.38 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65Q Features\| +Vos=200v ©os60A +Reson$0650@Ves=10V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2SK3634	文件：249.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplications suchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3634	文件：963.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3634	文件：46.03 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:30V RDS(on)=0.60MAX.(VGS=10V,ID=3.0A) •LowCiss:Ciss=270pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3634	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:±30VRDS(on)=0.60Ω	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SK3634I	文件：398.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3634-Z	文件：249.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplications suchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3634-Z	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:±30VRDS(on)=0.60Ω	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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深圳市仟禧电子有限公司	2SK3634MOS(场效应管)	RENESAS/瑞萨	22+	TO-251	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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