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2SK3634I	文件：398.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3634	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:±30VRDS(on)=0.60Ω	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3634	文件：46.03 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:30V RDS(on)=0.60MAX.(VGS=10V,ID=3.0A) •LowCiss:Ciss=270pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3634	文件：963.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3634	文件：249.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplications suchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevolta	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3634D	文件：330.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3634-Z	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:±30VRDS(on)=0.60Ω	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3634-Z	文件：249.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3634isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplications suchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevolta	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	2SK3634MOS(场效应管)	NEC	23+	TO-251	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2SK3634MOS(场效应管)	RENESAS/瑞萨	22+	TO-251	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	2SK3634-VB	VBsemi(微碧)	23+	TO252	5000	诚信服务，绝对原装原盘	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SK3634-Z	NEC	23+	TO-252	7600	全新原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SK3634-Z	NEC	08+(pbfree)	TO-252	8866		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SK3634-Z	N	23+	TO-252	37650	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	2SK3634-Z	N	23+	TO-252	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SK3634-Z	NEC	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SK3634-Z	NEC	22+	TO-252	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市惊羽科技有限公司	2SK3634-Z	NEC-日本电气	24+25+/26+27+	TO-252-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价

更多2SK3634I供应商更新时间2024-6-24 17:18:00

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