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2SK3484-Z	文件：241.25 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3484 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 125 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 148 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A) • Low Ci 文件：241.25 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3491-TL-E	文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.08593 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3495	文件：27.98 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. • Meets radial taping. 文件：27.98 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3497	文件：149.03 Kbytes Page：3 Pages	High Power Amplifier Application High Power Amplifier Application High breakdown voltage: VDSS = 180 V Complementary to 2SJ618 文件：149.03 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3497	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3498	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3498	文件：115.33 Kbytes Page：3 Pages	DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications 1. Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 4.0 Ω(typ.) 2. High forward transfer admittance: Yfs= 0.6 S (typ.) 3. Low leakage current: IDSS= 100 µA (max) (VDS= 400 V) 4. Enhancement-model: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1mA) 文件：115.33 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3402	文件：398.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：398.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3402	文件：1.38231 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.38231 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3402_15	文件：238.6 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：238.6 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
15
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
3200
Package Type：
MP-3/TO-251
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
40
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
60
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
36
QG (nC) typ.：
61
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
22

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SK34	MIT	24+		3005		询价
深圳市联世界科技有限公司	2SK3498(TE16L1,NQ)	TOSHIBA	24+/25+		1996	原装正品现货库存价优	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	2SK3470	TOS	13+	TO-92S	561238	原装分销	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2SK3478	MITSUBIS	23+	TO-57	350	专营高频管模块,全新原装!	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SK3407	TOSHIBA	15+	TO-220	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市益百分电子有限公司	2SK3402-Z-E1	NEC	03+	TO263	2145	全新原装进口自己库存优势	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	2SK3455B-S17	NEC	24+	TO-220F	3000	全新原装环保现货	询价
深圳市利加科技有限公司	2SK3407	NEC	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SK3404	NEC	24+	SOT-263	211	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SK3464	HIT	23+	SOP28L	5000	原装正品,假一罚十	询价

更多2SK34供应商更新时间2026-1-18 14:30:00

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