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2SK3378ENTL-E	文件：140.87 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS= 2.7Ω typ. (VGS= 10 V, ID= 50 mA) RDS= 4.7Ω typ. (VGS= 4 V, ID= 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK) 文件：140.87 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3378ENTR-E	文件：140.87 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS= 2.7Ω typ. (VGS= 10 V, ID= 50 mA) RDS= 4.7Ω typ. (VGS= 4 V, ID= 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK) 文件：140.87 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3378	文件：27.22 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS=2.7Ω typ. (VGS= 10 V , ID= 50 mA) RDS= 4.7Ω typ. (VGS= 4 V , ID= 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK) 文件：27.22 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3378	文件：140.87 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS= 2.7Ω typ. (VGS= 10 V, ID= 50 mA) RDS= 4.7Ω typ. (VGS= 4 V, ID= 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK) 文件：140.87 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SK3378ENTL-E供应商更新时间2026-4-18 10:45:00