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2SK3356	文件：38.01 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3356isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=38A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4V,ID=38A) •LowCiss:Ciss=6300pFTYP. •	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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2SK3356

文件：38.01 Kbytes

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The2SK3356isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=38A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4V,ID=38A) •LowCiss:Ciss=6300pFTYP. •

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更多2SK3356供应商更新时间2024-5-15 17:24:00

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