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2SK3356	文件：38.01 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3356 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4 V, ID = 38 A) • Low Ciss: Ciss = 6300 pF TYP. • 文件：38.01 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3356	文件：295.54 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：295.54 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3432	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SK3483-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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更多2SK3356供应商更新时间2026-4-19 14:14:00