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2SK3377-Z	文件：271.22 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3377isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=44mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3377-Z	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3377isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=44mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTY	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3377-Z	文件：331.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3377-Z	文件：2.38017 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
2SK3377-Z-E1-AZ	文件：896.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SK3377-Z-E2	文件：896.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SK3377-ZK	文件：401.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3377-Z-E1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3377-Z-E2-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3377	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3377isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=44mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTY	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3377	文件：46.19 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features •Lowon-resistance RDS(on)1=44mMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=760pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3377	文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SK3377	文件：130.15 Kbytes Page：1 Pages	Lowon-resistance	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司
2SK3377	文件：398.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3377	文件：271.22 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3377isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=44mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=78mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
2SK3377-Z
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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