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2SK3062-ZJ	文件：69.94 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3062isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4.0V,I	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3062-ZJ	文件：245.24 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3062isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4.0V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SK3062	文件：245.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3062isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4.0V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3062-S	文件：245.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3062isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4.0V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3062-S	文件：69.94 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3062isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4.0V,I	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3062-Z	文件：245.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3062isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=4.0V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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