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2SK3078A	文件：121.49 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF/UHF Band Amplifier Applications The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in this document ex 文件：121.49 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3078A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3078A	文件：131.86 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS Type VHF/UHF Band Amplifier Applications 文件：131.86 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3078A_07	文件：131.86 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS Type VHF/UHF Band Amplifier Applications 文件：131.86 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3078A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency power MOSFET Application Scope：FRS/GMRS(470MHz)\nPolarity：N-ch\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 0.5 A \nPower Dissipation PD 3 W \nDrain-Source voltage VDSS 10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Application Scope：
FRS/GMRS(470MHz)
VDSS (Max)(V)@Tc=25degC：
10
ID (Max)(A)：
0.5
ID (Max)(A)@Tc=25degC：
0.5
PD (Max)(W)：
3
PD (Max)(W)@Tc=25degC：
3
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6
Package Size(mm^2)：
19.32

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK3078A供应商更新时间2025-12-24 9:05:00

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