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2SK3075	文件：115.71 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (RF POWER MOSFET FOR VHF- AND UHF-BAND POWER AMPLIFIER) FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNELMOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER (Note)The TOSHIBA products listed inthis document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment. These TOSHIBA products are neither intended nor warran 文件：115.71 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3075	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3075	文件：168.03 Kbytes Page：4 Pages	SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER 文件：168.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3075	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency power MOSFET Application Scope：UHF/VHF band professional radio (520MHz)\nPolarity：N-ch\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 5 A \nPower Dissipation PD 20 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK3075_07	文件：168.03 Kbytes Page：4 Pages	SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER 文件：168.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Application Scope：
UHF/VHF band professional radio (520MHz)
VDSS (Max)(V)@Tc=25degC：
30
ID (Max)(A)：
5
ID (Max)(A)@Tc=25degC：
5
PD (Max)(W)：
20
PD (Max)(W)@Tc=25degC：
20
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
PW-X
Width×Length×Height(mm)：
6.1 x 6.3 x 1.5
Package Size(mm^2)：
38.43

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK3075供应商更新时间2026-4-17 16:00:00

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