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2SK2912	文件：53.43 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：53.43 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2912	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2912	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
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2SK2912L-E	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SK2912S	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2912STL-E	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2912L	文件：325.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：325.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
40
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
40
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
20
Ciss (pF) 典型值：
1500
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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