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2SK2912L	文件：53.43 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching SiliconNChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=15mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2912L	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching SiliconNChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=15mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2912L	文件：325.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SK2912S	文件：399.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
2SK2912L
制造商：
Renesas Electronics Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK2912L供应商更新时间2025-5-16 11:04:00

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