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2SK2912L	文件：53.43 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：53.43 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2912L	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2912L	文件：325.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：325.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2912L-E	文件：95.62 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 15 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.62 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2912L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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