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2SK2596BX	文件：61.25 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 12.2 dB, Pout = 1.05 W, ηD = 45min. (f = 836.5 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：61.25 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2596BXTL-E	文件：145.89 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier 文件：145.89 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2596	文件：61.25 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 12.2 dB, Pout = 1.05 W, ηD = 45min. (f = 836.5 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：61.25 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
2SK2596BX
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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