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2SK2596BXTL-E

Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

文件:145.89 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SK2596

Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 12.2 dB, Pout = 1.05 W, ηD = 45min. (f = 836.5 MHz) • Compact package capable of surface mounting

文件:61.25 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

2SK2596

Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

文件:145.89 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SK2596BX

Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 12.2 dB, Pout = 1.05 W, ηD = 45min. (f = 836.5 MHz) • Compact package capable of surface mounting

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RENESAS

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    2SK2596BXTL-E

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
25+
SOT-89
32000
RENESAS/瑞萨全新特价2SK2596BXTL-E即刻询购立享优惠#长期有货
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Renesas(瑞萨)
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32078
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SOT89
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50000
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19000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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14+
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS/瑞萨
22+
SOT89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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SOT89
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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更多2SK2596BXTL-E供应商 更新时间2026-1-26 14:14:00