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2SK2602	文件：284.69 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS) Switching Regulator Applications ● Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 0.9 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.5 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V) ● Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：284.69 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2602	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2602	文件：303.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：303.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2602	文件：699.14 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：699.14 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2602	文件：419.97 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：419.97 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2602	文件：300 bytes Page：1 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSV) Switching Regulator Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK2602_06	文件：699.14 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：699.14 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2602_10	文件：419.97 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：419.97 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK2602
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 6A TO-3PN
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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