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2SK2651	文件：383.49 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET Features 1. High Speed Switching 2. Low On-Resistance 3. No Secondary Breakdown 4. Low Driving Power 5. High Voltage 6. VGS = ± 30V Guarantee 7. Repetitive Avalanche Rated 文件：383.49 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2651	文件：319.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2651	文件：323.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2651	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel MOS-FET	FUJI 富士通	FUJI
2SK2651-01MR	文件：383.49 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET Features 1. High Speed Switching 2. Low On-Resistance 3. No Secondary Breakdown 4. Low Driving Power 5. High Voltage 6. VGS = ± 30V Guarantee 7. Repetitive Avalanche Rated 文件：383.49 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI

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