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2SK2601	文件：707.8 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 0.56 Ω (typ.) High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 文件：707.8 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2601	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2601	文件：313.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：313.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2601	文件：324.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2601	文件：425.91 Kbytes Page：6 Pages	DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications 文件：425.91 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2601	文件：288.27 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) 文件：288.27 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2601	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅤ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 10 A \nPower Dissipation PD 125 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK2601_06	文件：707.8 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 0.56 Ω (typ.) High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 文件：707.8 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2601_10	文件：425.91 Kbytes Page：6 Pages	DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications 文件：425.91 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK2601
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 10A TO-3PN
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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