2SK2601中文资料东芝数据手册PDF规格书
2SK2601规格书详情
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 0.56 Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
产品属性
- 型号:
2SK2601
- 功能描述:
MOSFET N-CH 500V 10A TO-3PN
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2023+ |
TO-3P |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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TOS |
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TO-3P |
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TOSHIBA |
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TO-3P |
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原装正品,假一罚十 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO3P |
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TOSHIBA |
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TOS |
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TO3P |
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TOSHIBA |
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TO-3P |
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TOSHIBA |
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TO-3P |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO3P |
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SANYO |
08PB |
60000 |
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