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2SK2098	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 80mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2098-01MR	文件：191.41 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET 150V 0,08Ω 20A 50W > Features - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance - Avalanche Proof > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters 文件：191.41 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2099-01L	文件：215.41 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET 250V 0,85Ω 6A 20W > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose 文件：215.41 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2099-01S	文件：215.41 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET 250V 0,85Ω 6A 20W > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose 文件：215.41 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2099L	文件：309.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：309.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2099S	文件：299.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK209-BL	文件：287.49 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ • High input impedance: IGSS = −1 nA 文件：287.49 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK209-GR	文件：287.49 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ • High input impedance: IGSS = −1 nA 文件：287.49 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK209-Y	文件：287.49 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ • High input impedance: IGSS = −1 nA 文件：287.49 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK209_07	文件：553.39 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel Junction Type Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications 文件：553.39 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
N-ch
VGDS (Max)(V)：
-50
IG (Max)(mA)：
10
IDSS (Max)(mA)：
14
IDSS (Min)(mA)：
1.2
(Min)(mS)：
4
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Package Size(mm^2)：
7.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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