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2SK1954	文件：411.58 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK1954	文件：46.46 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectPowerTransistor MOSFieldEffectPowerTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)=0.65(VGS=10V,ID=2A) LowCissCiss=300pFtyp Built-inG-SGateProtectionDiode HighAvalancheCapabilityRatings	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK1954	文件：398.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK1954	文件：2.26966 Mbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1954isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhigh voltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)=0.65ΩMAX.(VGS=10V,ID=2.0A) •LowCiss:Ciss=300pFTYP. •Built-inG-SGatePro	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1954-Z	文件：379.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK1954-Z	文件：411.58 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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更多2SK1954-Z-AZ供应商更新时间2024-6-13 16:00:00

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