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2SK1527	文件：50.35 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：50.35 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1527	文件：83.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：83.6 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1527	文件：322.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.16Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive ·DC-DC converter, power switch and solenoid drive · Silver ATX,adapter,TV,lighting,Server power 文件：322.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1527	文件：67.41 Kbytes Page：2 Pages	Drain Current ?밒D=40A@ TC=25C 文件：67.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1527	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET • Low on-resistance\n• High speed switching\n• Low drive current\n• No secondary breakdown\n• Suitable for switching regulator and DC-DC converterApplication\nHigh speed power switching;	HITACHI 日立	HITACHI
2SK1527-E	文件：83.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：83.6 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1527-E1-E	文件：247.84 Kbytes Page：8 Pages	500V - 40A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. (at ID = 20 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • High speed switching • Low drive current • Suitable for switching regulator and DC-DC converter • Quality grade: Standard 文件：247.84 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1527-E1-ET2	文件：247.84 Kbytes Page：8 Pages	500V - 40A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. (at ID = 20 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • High speed switching • Low drive current • Suitable for switching regulator and DC-DC converter • Quality grade: Standard 文件：247.84 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1527-E1-E_15	文件：95.73 Kbytes Page：7 Pages	l500V - 40A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：95.73 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1527-E1-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-264S
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
40
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.16
Ciss (pF) 典型值：
5800
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
2.5
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	2SK1527	Renesas	17+	TO-3P	6200		询价
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更多2SK1527供应商更新时间2026-10-31 16:00:00

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