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2SK1527-E1-E	文件：247.84 Kbytes Page：8 Pages	500V - 40A - MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp.(atID=20A,VGS=10V,Ta=25°C) •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter •Qualitygrade:Standard	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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500V - 40A - MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp.(atID=20A,VGS=10V,Ta=25°C) •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter •Qualitygrade:Standard

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500V - 40A - MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp.(atID=20A,VGS=10V,Ta=25°C) •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •SuitableforswitchingregulatorandDC-DCconverter •Qualitygrade:Standard

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更多2SK1527-E1-E供应商更新时间2024-4-29 11:36:00

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