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2SK1151S	文件：44.87 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Features ● Low on-resistance ● High speed switching ● Low drive current ● No secondary breakdown ● Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：44.87 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK1151STL-E	文件：89.64 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：89.64 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1151(L)_15	文件：126.54 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：126.54 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1151_11	文件：126.54 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：126.54 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1151L	文件：1.08323 Mbytes Page：9 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.08323 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1151L	文件：317.56 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：317.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1151L-E	文件：126.54 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：126.54 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1151S	文件：309.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1151STL-E	文件：1.086 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.086 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1151(L)/(S)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(1)/TO-251
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
450
ID (A)：
1.5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
5500
Ciss (pF) 典型值：
160
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK1151供应商更新时间2026-3-9 14:00:00

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