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2SK1151L-E	文件：89.64 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：89.64 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1151L-E	文件：126.54 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：126.54 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1151S	文件：48.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：48.81 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
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详细参数

型号：
2SK1151L-E
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 450V 1.5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) Box
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Nch MOSFET,450V,1.5A,3.5ohm,DPAK-L
制造商：
Renesas

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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