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2SK1254S	文件：48.3 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：48.3 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1254S	文件：90.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：90.07 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1254S	文件：44.81 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Features Low on-resistance High speed switching Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：44.81 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK1254S	文件：309.73 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1254STL-E	文件：90.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：90.07 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1254S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(S)/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
120
ID (A)：
3
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
550
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
400
Ciss (pF) 典型值：
420
Vgs (off) (V) 最大值：
2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

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更多2SK1254S供应商更新时间2025-12-24 11:39:00

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