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2SK1151L

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    DPAK(L)-(1)/TO-251

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In SBD

  • VDSS (V) 最大值:

    450

  • ID (A):

    1.5

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    5500

  • Ciss (pF) 典型值:

    160

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    3

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    20

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

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