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2SJ552L	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552L-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi

2SJ552L-E

文件：96 Kbytes

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SiliconPChannelMOSFET

Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
95
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
1750
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ552S	NEC	24+	TO-263	503132	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SJ552S	RENESAS	20+	TO-263	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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