2SJ552L中文资料PDF规格书
2SJ552L规格书详情
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on)= 0.042Ω typ.
• Low drive current.
• 4V gate drive devices.
• High speed switching.
产品属性
- 型号：
2SJ552L
- 制造商：
HITACHI
- 制造商全称：
Hitachi Semiconductor
- 功能描述：
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
31773 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
HIT |
2020+ |
TO-263 |
16800 |
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HITACHI/日立 |
24+ |
TO262 |
58000 |
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RENESAS |
21+ |
TO-252 |
10 |
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询价 | ||
HITACHI/日立 |
2022 |
TO-262 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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RENESAS |
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询价 | ||||
日立 |
1746+ |
TO-220 |
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RENESAS |
23+ |
TO-263 |
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日立 |
22+ |
262 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
28523 |
公司只做原装正品 |
询价 |
