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2SJ552	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552(L)_15	文件：115.37 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552L	文件：255.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.055Ω(MAX)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SJ552L	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552L	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552L-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552S	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552S	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552STL-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ552MOS(场效应管)	HITACHI/日立	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SJ552S	RENESAS	20+	TO-263	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ552S	日立	22+	6000	263	十年配单,只做原装	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SJ552S	RENESAS/瑞萨	24+	NA/	31773	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SJ552S	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SJ552S	RENESAS/瑞萨	20+	TO-263	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SJ552S	RENESAS	25+	TO-263	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市博中泰实业有限公司	2SJ552S	RENESAS/瑞萨	24+	TO-263	60000	全新原装现货	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	2SJ552S	RENESAS/瑞萨	24+	TO-263	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SJ552S	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价

更多2SJ552MOS(场效应管)供应商更新时间2025-7-29 11:00:00

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