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2SJ356	文件：269.38 Kbytes Page：8 Pages	丝印：PR；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving 文件：269.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ356	文件：49.51 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistors Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A) 文件：49.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ356	文件：959.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：959.18 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ356	文件：49.51 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistors 文件：49.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ356	文件：68.83 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：68.83 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ356	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ356-TP	文件：3.09228 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Application © PWM applications » Load switch « Power management 文件：3.09228 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2SJ356_15	文件：1.08655 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.08655 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ356C	文件：246.16 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING 文件：246.16 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
500
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
270
Package Type：
PoMM/SC-62
Vgs (off) (V) max.：
-2
Nch/Pch：
Pch
VGSS (V)：
-20/+10
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
2
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
-60
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
-2
QG (nC) typ.：
11.6
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
950

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更多2SJ356供应商更新时间2025-10-10 16:04:00

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