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2SJ356中文资料PDF规格书

2SJ356
厂商型号

2SJ356

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

269.38 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 14:02:00

2SJ356规格书详情

P-CHANNEL MOS FET

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is

a switching element that can be directly driven by the output of an

IC operating at 5 V.

This product has a low ON resistance and superb switching

characteristics and is ideal for driving the actuators and DC/DC

converters.

FEATURES

• Can be directly driven by 5-V IC

• Low ON resistance

RDS(on) = 0.95 W MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A

RDS(on) = 0.50 W MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A

产品属性

  • 型号:

    2SJ356

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R Tape & Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
SOT-89
31000
全新原装现货
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NEC
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2019+
SOT-89
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