P-Channel Enhancement MOSFET

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TECHPUBLIC

台舟电子

场效应管（MOSFEET)

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台舟电子

MOS Field Effect Transistors

Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

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KEXIN

科信电子

MOS Field Effect Transistors

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KEXIN

科信电子

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

文件：68.83 Kbytes 页数：6 Pages

NEC

瑞萨