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2SJ356-TP

P-Channel Enhancement MOSFET

Application © PWM applications » Load switch « Power management

文件:3.09228 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

2SJ356

MOS Field Effect Transistors

Features • Low on-state resistance RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

文件:49.51 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

2SJ356

MOS Field Effect Transistors

文件:49.51 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

2SJ356

P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

文件:68.83 Kbytes 页数:6 Pages

NEC

瑞萨

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更多2SJ356-TP供应商 更新时间2025-10-7 11:06:00