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2SD961

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) •GoodLinearityofhFE •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=4A •ComplementtoType2SB869 APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多2SD961功率三极管供应商 更新时间2024-5-31 9:36:00