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2SD961	文件：256.959 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@IC= 4A • Complement to Type 2SB869 APPLICATIONS • Designed for power switching applications. 文件：256.959 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD965AL-R-T92-B	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTC TO92	UTC 友顺上传：深圳市华博特电子有限公司	UTC
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更多2SD961供应商更新时间2025-10-4 14:14:00