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2SD523	文件：216.93 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min.) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min.)@IC= 3A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE (sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 3A APPLICATIONS • Designed for power switching applications. 文件：216.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD524	文件：221.94 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES: -High DC Current Gain : hpg-2000 (Min.) (VCE 3V, Ic=5A) -Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V (Max.) (Ic-5A) -Monolithic Construction With Built-In Base-Emitter Shunt Resistor. 文件：221.94 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD525	文件：136.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB595 ·High breakdown voltage :VCEO=100V ·Low collector saturation volage : VCE(sat)=2.0V(Max) APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier out 文件：136.82 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD525	文件：93.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB595 ·High breakdown voltage :VCEO=100V ·Low collector saturation volage : VCE(sat)=2.0V(Max) APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier o 文件：93.19 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD525	文件：94.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB595 ·High breakdown voltage :VCEO=100V ·Low collector saturation volage : VCE(sat)=2.0V(Max) APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier out 文件：94.78 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD525	文件：69.3 Kbytes Page：1 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER(NPN EPITAXIAL) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ! Complement to 2SB595 文件：69.3 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD526	文件：69.31 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ● Complement to 2SA671 文件：69.31 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD526	文件：139.33 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SB596 • Good linearity of hFE APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 20~25W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：139.33 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD526	文件：180.39 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SB596 • Good linearity of hFE APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 20~25W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：180.39 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD526	文件：118.15 Kbytes Page：3 Pages	丝印：D526；Package：TO-220；POWER TRANSISTORS(4A,80V,30W) 文件：118.15 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

晶体管资料

型号：
2SD526
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HIFI_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241B,BD243B,BD537,BD539,BD579,BD589,BD951,3DA5B,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-89
vtest：
80
htest：
3000100
atest：
4
wtest：
30

技术参数

VCBO (V)：
80
VCEO (V)：
80
PD (W)：
30
PACKAGE：
TO-220
NPN：
2SD526
PNP：
2SB596
HFE (Min/Max)：
40/240
IC/VCE (A/V)：
0.5/5.0
VCE(SAT) (V)：
1.5
IC / IB (A/mA)：
3.0/300

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD52供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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