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2SD526

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • High Power Dissipation : PC=30W (Tc=25°C) • Good Linearity of hFE. • Complementary to 2SB596. • Recommend for 20~25W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage.

文件:166.58 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD525

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE

文件:196.86 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD525_15

Silicon NPN Power Transistors

文件:93.19 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SD525_2015

Silicon NPN Power Transistors

文件:93.19 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SD526

TRANSISTOR

文件:192.33 Kbytes 页数:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD529

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:266.46 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD525

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER(NPN EPITAXIAL)

Wing Shing Computer

永盛电子

2SD525

Trans GP BJT NPN 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

NJS

新泽西半导体

2SD525

三极管

Mospec

统懋

晶体管资料

  • 型号:

    2SD526

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    HIFI_低频或音频放大 (LF)_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >3MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD241B,BD243B,BD537,BD539,BD579,BD589,BD951,3DA5B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-89

  • vtest:

    80

  • htest:

    3000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    30

技术参数

  • VCBO (V):

    80

  • VCEO (V):

    80

  • PD (W):

    30

  • PACKAGE:

    TO-220

  • NPN:

    2SD526

  • PNP:

    2SB596

  • HFE (Min/Max):

    40/240

  • IC/VCE (A/V):

    0.5/5.0

  • VCE(SAT) (V):

    1.5

  • IC / IB (A/mA):

    3.0/300

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD52供应商 更新时间2026-4-18 14:14:00