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2SD2675	文件：90.09 Kbytes Page：3 Pages	General purpose amplification (30V, 1A) Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat):max.350mV at IC=500mA/IB=25mA Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER 文件：90.09 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2675	文件：74.26 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TL；Package：TSMT3；General purpose amplification (30V, 1A) 文件：74.26 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2675	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor 根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 Low VCE(sat)晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2675	文件：300 bytes Page：1 Pages	普通三极管	FOSAN 富信半导体	FOSAN
2SD2675_1	文件：74.26 Kbytes Page：3 Pages	General purpose amplification (30V, 1A) 文件：74.26 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2675TL	文件：62.53 Kbytes Page：3 Pages	General purpose amplification (30V, 1A) 文件：62.53 Kbytes 页数：3 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
2SD2675U	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率三极管	ST 意法半导体	ST
2SD2675TL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-96；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 1A TSMT3	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
30
Collector current Io(Ic) [A]：
1
hFE：
270 to 680
hFE (Min.)：
270
hFE (Max.)：
680
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

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更多2SD2675供应商更新时间2026-10-15 10:41:00

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