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2SD2675分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD2675

参数属性

2SD2675 封装/外壳为SC-96;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 1A TSMT3

功能描述

General purpose amplification (30V, 1A)
TRANS NPN 30V 1A TSMT3

封装外壳

SC-96

文件大小

90.09 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 20:53:00

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2SD2675规格书详情

2SD2675属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SD2675晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

1) A collector current is large.

2) Collector saturation voltage is low.

VCE(sat):max.350mV at IC=500mA/IB=25mA

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SD2675TL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 25mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    270 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    320MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-96

  • 供应商器件封装:

    TSMT3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 1A TSMT3

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