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2SD2444K	文件：69.33 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BSR；Package：SOT-346；Power Transistor (15V, 1A) Features 1) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2) IC=1A. 3) Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：69.33 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2444K	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2444K	文件：35.61 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● IC = 1A. ● Low saturation voltage. 文件：35.61 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2444K_V01	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2444KT146R	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2449	文件：137.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE Power Amplifier Applications ● High breakdown voltage: VCEO = 160 V (min) ● Complementary to 2SB1594 文件：137.74 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2449	文件：248.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 160V(Min) ·High DC Current Gain-: hFE= 3000( Min.) @(IC= 8A, VCE= 5V) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 3.0V(Max)@ (IC= 8A, IB= 8mA) B ·Complement to Type 2SB1594 APPLICATIONS ·Designed for power amplifie 文件：248.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2453	文件：40.36 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Features ● High forward current transfer ratio hFE. ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). 文件：40.36 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2453	文件：77.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Silicon NPN triple diffusion planar type For high current transfer ratio and power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 文件：77.78 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2454	文件：181.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(H)IS package • High voltage ;high speed • Low saturation voltage • Built-in damper diode APPLICATIONS • Horizontal deflection output for color TV 文件：181.49 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD2403
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4541,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
80
htest：
130000000
atest：
3
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
60
IC @25 °C (A)：
3
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
100-400
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.13
Cob (Typical) (pF)：
30

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