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2SD2399	文件：370.13 Kbytes Page：5 Pages	Transistor,NPN,Darlington DESCRIPTION • available in TO-220FN package • Darlington connection provides high dc current gain (hFE) • damper diode is incorporated • built-in resistors between base and emitter • 2 mm lower than the TO-220FP package which allows higher density mounting • complementary pair wi 文件：370.13 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2399	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2399	文件：214.8 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Switching regulator and high voltage switching applications. • High speed DC-DC converter applications. 文件：214.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2399	文件：205.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Complement to type 2SB1568 • High DC current gain. • DARLINGTON APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications 文件：205.8 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2390	文件：172 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors 文件：172 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2390	文件：34.17 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：34.17 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken
2SD2390_01	文件：33.7 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：33.7 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken
2SD2391	文件：164.1 Kbytes Page：3 Pages	丝印：DTQ；Package：SOT-89；Medium Power Transistor (60V, 2A) 文件：164.1 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2391_09	文件：164.1 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (60V, 2A) 文件：164.1 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2391_15	文件：1.00801 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.00801 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SD2390
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
55MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67D,2SD1123,2SD1027,2SD1515,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-48
vtest：
160
htest：
55000000
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2SD2390
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 7mA，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5000 @ 7A，4V
频率 - 跃迁：
55MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P

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