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2SD2390	文件：25.26 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose) Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1560) Application : Audio, Series Regulator and General Purpose 文件：25.26 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken
2SD2390	文件：288.34 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SB1560 • High DC current gain APPLICATIONS • Audio ,regulator and general purpose 文件：288.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2390	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SB1560 • High DC current gain APPLICATIONS • Audio ,regulator and general purpose 文件：170.3 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2391	文件：351.89 Kbytes Page：1 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low VCE(sat) 文件：351.89 Kbytes 页数：1 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2391	文件：1.32839 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) 文件：1.32839 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2391	文件：232.54 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DT；Package：SOT-89；NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE • Low VCE(sat) 文件：232.54 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2391	文件：1.16239 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low VCE(sat) 文件：1.16239 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2391	文件：49.57 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor ■ Features ● Low saturation voltage ● Collector-emitter voltage =60V ● Pc = 2W (on 40X40X0.7mm ceramic board). ● Complements the 2SB1561. 文件：49.57 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2391	文件：105.04 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (60V, 2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat) =0.13V at IC / IB =1A /50mA. 2) Collector-emitter voltage =60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SB1561. 文件：105.04 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2391	文件：73.99 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DTQ；Package：SOT-89；Medium Power Transistor ( 60V, 2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat) =0.13V at IC / IB =1A /50mA. 2) Collector-emitter voltage =60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SB1561. 文件：73.99 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2390
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
55MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67D,2SD1123,2SD1027,2SD1515,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-48
vtest：
160
htest：
55000000
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2SD2390
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 7mA，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5000 @ 7A，4V
频率 - 跃迁：
55MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P

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更多2SD239供应商更新时间2025-12-25 17:02:00

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